13 de novembre de 2025– El PowerAmerica Institute, un membre líder de la xarxa de Manufacturing USA amb seu a la North Carolina State University, ha obert oficialment la seva sol·licitud de propostes (RFP) de 2025. Aquesta iniciativa pretén accelerar-el desenvolupament i l'adopció al mercat de tecnologies de semiconductors de banda ampla (WBG) als Estats Units.
Amb el suport de l'Oficina de Tecnologies de Fabricació i Materials Avançats del Departament d'Energia dels EUA, el programa pretén abordar els reptes clau en la producció i aplicació de semiconductors WBG. Els objectius principals inclouen millorar el rendiment del dispositiu, reduir els costos de fabricació i accelerar la transició d'aquestes tecnologies avançades del laboratori al mercat.
Ampliació de l'abast del desenvolupament tecnològic del GBM
La RFP 2025 s'estructura al voltant de tres àrees bàsiques per garantir un avenç integral en el camp:
Innovació en la fabricació:Aquest flux se centra a perfeccionar la producció de materials WBG, desenvolupar eines especialitzades i millorar la fabricació de dispositius i mòduls. Els projectes poden apuntar a augmentar el rendiment, millorar la qualitat del material o augmentar els processos de producció per fer que els components del WBG siguin més accessibles i assequibles.
Aplicacions i integració de sistemes:Aquí, l'èmfasi es posa en demostrar com es poden implementar els semiconductors WBG en sistemes-del món real. Això podria incloure el seu ús en vehicles elèctrics, inversors d'energia renovable, motors industrials o fonts d'alimentació del centre de dades. Els projectes amb èxit mostraran millores tangibles en eficiència, densitat de potència i fiabilitat respecte a les solucions tradicionals basades en silici-.
Educació i desenvolupament de la força de treball:Reconeixent la necessitat d'un grup de talent qualificat, aquesta àrea dóna suport a la creació de nous currículums acadèmics, programes de formació especialitzats per a tècnics i enginyers i oportunitats de recerca pràctiques-. L'objectiu és crear una cartera sòlida de professionals equipats amb l'experiència per impulsar la indústria del WBG.
Un camí col·laboratiu cap a la comercialització
Una fortalesa clau d'aquesta iniciativa és el seu èmfasi en l'associació. PowerAmerica fomenta les propostes de col·laboració que reuneixen líders del sector, investigadors acadèmics i laboratoris nacionals. Aquest enfocament sinèrgic està dissenyat per salvar la bretxa entre la investigació fonamental i el desplegament comercial, assegurant que les idees innovadores puguin evolucionar cap a productes viables que enforteixin la competitivitat dels Estats Units al mercat global dels semiconductors.
Procés de finançament i sol·licitud
L'institut ha exposat un procediment de sol·licitud clar en dues etapes:-
Documents conceptuals:L'enviament d'un document conceptual és obligatori. El termini per a aquest pas inicial és12 de desembre de 2025.
Propostes completes:Només els sol·licitants que rebin una resposta "Encoratjada" al seu document conceptual seran convidats a presentar una proposta completa per13 de febrer de 2026.
Els projectes premiats rebran un suport substancial, amb un finançament de fins a1 milió de dòlars per a esforços dirigits-la indústriai230.000 $ per a investigacions dirigides-universitaris. Es requereix una participació mínima de costos 1:1, demostrant un fort compromís de les organitzacions participants.
Per què això és important per al futur de la tecnologia
Els semiconductors de banda ampla, com els fets de carbur de silici (SiC) i nitrur de gal·li (GaN), són fonamentals per a la propera generació d'electrònica. Funcionen de manera més eficient a temperatures, freqüències i tensions més altes que el silici tradicional, permetent dispositius més petits, ràpids i eficients energèticament-. En invertir en aquestes àrees bàsiques, la RFP 2025 del PowerAmerica Institute no només finança la investigació-, sinó que està construint activament la infraestructura, el coneixement i la força de treball necessaris per assegurar el lideratge dels Estats Units en el camp crític de l'electrònica de potència avançada.